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环球UG开户:存储器芯片专利竞争态势阐明

日期:2020-07-06 浏览:

原标题:存储器芯片专利竞争态势阐明

图1 主要竞争敌手专利申请趋势

图2 主要竞争敌手本国技能漫衍

克日,福建省晋华集成电路有限公司(下称福建晋华)与台湾半导体企业联华电子股份有限公司(下称联华电子)对美国美光中国子公司提倡的专利诉讼再次激发存眷。姑且禁令的发出固然符号着我国在存储器规模还击美国打出了大度的一仗,可是要想在国际市场取得一席之地,还要降服诸多坚苦。笔者将从今朝各方的专利机关情况举办阐明,但愿能对海内存储器企业成长有所开导。

存储芯片产业名堂

存储器芯片规模主要分别为两类:一类是易失性存储器,就是断电后存储器内存储的信息当即消失,譬喻DRAM,个中PC机内存和手机内存约莫占六成。另一类长短易失性存储器,即断电今后存储器内存储的信息仍然存在,主要是闪存(NAND FLASH 和 NOR FLASH),前者用于数据存储,后者则用于代码存储介质中。

半导体存储器是一个高度把持的市场,以DRAM和NAND FLASH两种主要的存储器芯片为例,个中DRAM的全球市场险些被韩国的三星电子、海力士和美国的美光朋分,而NAND FLASH市场险些被三星电子、海力士、东芝和闪迪、美光、英特尔占有。个中三星电子居于把持职位,2017年它的DRAM和NAND FLASH全球占有率别离为45.8%和37%。而今朝海内已形成福建晋华、合肥长鑫和紫光团体三大存储器阵营,个中福建晋华和合肥长鑫主攻DRAM规模,而紫光团体的长江存储则专注于NAND FLASH规模,三家均声称在2018年底实现试产,开通出产线。

竞争敌手专利机关

本文的专利文献数据主要来自国度常识产权局专利检索与处事系统(S系统)。专利文献来历包罗CNABS(中国专利文献数据库)和DWPI(德温特世界专利索引数据库)。数据检索截至时间为2018年8月4日。截至到检索日,三大巨擘三星、海力士和美光在存储器规模的专利申请数量别离为1.4868万件、1.3977万件和9749件,可见三大企业均具有雄厚的专利技能储蓄。图1是三大巨擘在全球范畴内积年申请量的年份漫衍折线图。从图中可以看出,三星专利申请起步最早,在颠末十几年的研发后,从1996年开始泛起数倍增长,并在今后20年内每年都维持400件以上的专利申请量,且2005年、2006年的专利申请量更是高出了1000件之多;美光从1988年开始申请专利,颠末短短6年时间,其专利申请量已与三星根基持平,并从1997年开始维持400件上下的专利申请量;海力士起步最晚,从1992年才开始举办专利机关,可是其厚积薄发,从1999年起就始终紧跟三星的脚步,并在2008、2009年到达申请顶峰,年申请量达1500件上下。可见,颠末多年积聚,三大巨擘在专利申请的数量上已经得到了绝对优势,存储器的入市门槛已经很高。

对三星、海力士、美光三家公司的技能方针区域漫衍举办统计可以看出,三家公司的技能方针国均主要会合在美国、韩国、日本、中国4个国度,其他国度和地域的占较量小,且美国和韩国的占比最大,个中三星、海力士、美光三家公司在美国的占比别离为32%、53%和60%,三星、海力士两家公司在韩国的占比别离为41%和53%。可见,存储器技能在美国、韩国、日本、中国的专利机关已经铺开,尤其是美国和韩国已经根基完成了专利机关,而三星、海力士、美光三家公司在中国的占比别离为11%、12%和11%,说明三家公司的专利机关还没有完全深入到中国,对中国的机关还未全面展开,中国企业应抓住机缘,提早防范。

由于三星、海力士、美光三家公司均在本国拥有较大专利申请量,本文就从专利申请的国际专利分类入手相识一下三家公司在本国的技能漫衍。图2是三家公司在本国的技能漫衍图,从图中可以看出,三家公司的专利申请均会合在G11C(静态存储器)、H01L(半导体存储器件)、G06F(电数字数据处理惩罚)和H03K(脉冲技能)几个技能规模中,尤其是涉及存储器详细设计的G11C(静态存储器)和包罗了器件布局及制备要领的H01L(半导体存储器件)这两个规模的专利申请占据了三家公司专利申请的绝大部门。可见,三家公司均已把握了存储器规模的大量焦点技能。

海内企业专利近况

笔者以福建晋华为例,先容一下我国存储器企业专利近况。福建晋华创立于2016年,截至到检索日,其在中国提交专利申请42件,在美国提交专利申请20件,且仅有一件专利申请的技能规模是G11C(静态存储器),其余专利申请的技能规模均为H01L(半导体存储器件)。福建晋华在专利数量、技能方针区域漫衍、技能规模漫衍等方面均与主要竞争敌手存在较大差距。固然福建晋华在此次诉讼中取得了阶段性胜利,可是将来仍需要在联华电子的技能支持下,快速加大专利储蓄。