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欧博开户官网:国度存储器基地加快建树

日期:2020-07-06 浏览:

  (长江经济带沿线行)国度存储器基地加快建树

  中新社武汉8月4日电 (记者 张芹)4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国度存储器基地),紫光团体联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主常识产权的32层三维NAND闪存芯片将于本年第四季度在此实现量产。

资料图:公众在展会上相识参展商展示的芯片。 中新社记者 张斌 摄

  据悉,长江存储于2017年乐成研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并得到中国电子信息展览会(CITE2018)金奖。

  这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,

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,是中国主流芯片中研发制造程度最靠近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的打破。

  刁石京先容,今朝,芯片出产设备正在举办安装调试,本年第四季度,32层三维闪存芯片将在一号芯片出产厂房举办量产。另外,64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地举办,打算2019年实现量产。

  刁石京暗示,中国芯片技能落伍于世界,但自主研发的脚步始终没有遏制,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国度在存储芯片上的差距。

  据悉,长江存储由紫光团体连系国度集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资团体配合投资建树,认真国度存储器基地项目。

  按照筹划,至2023年,基地产能将到达每月30万片,并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。(完)