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usdt官网下载(www.caibao.it):三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

日期:2021-03-15 浏览:

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问题:三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

这几年,台积电在半导体工艺上一起策马扬鞭,东风自满,能够追赶的也只有三星了,然则后者的工艺品质一直饱受质疑。

IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了接纳3nm工艺制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星蹊径图上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包罗11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(围绕栅极场效应晶体管)手艺,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET手艺又分为两种类型,一是通例GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

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根据三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增添最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发烧,制止再泛起所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产,但尚未宣布任何客户。

台积电方面,3nm继续使用FinFET手艺,号称相比于5nm晶体管密度增添70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时刻投入试产,明年量产,客户包罗除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等,甚至听说Intel也会用。